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專利號:200810062053
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柔性襯底上室溫濺射沉積氧化銦錫透明導電薄膜的方法

本發明屬于電子材料技術領域,特別是涉及一種柔性襯底室溫下濺射制備氧化銦錫透明導電薄膜的方法;其步驟包括:清洗、充工作氣體、紫外線輻照、阻擋層制備、濺射氧化銦錫膜;通過在線紫外輻照,在氬氧比為(6.0~7.5)∶0.2,采用射頻濺射或直流濺射,實現在室溫下,在預先鍍覆二氧化硅層作為擴散阻擋層的有機柔性襯底上高效無損傷制備氧化銦錫薄膜。氧化銦錫薄膜的厚度為700nm時,電阻率為3.5×10↑[-4]Ωcm,方塊電阻為5Ω,可見光透過率為88%,且膜層均勻平整,不起皺,不脫落。與傳統的柔性氧化銦錫薄膜制備工藝相比,本發明無需加熱、工藝控制簡單、對基體無損傷,適用于大面積生產,且具有良好的光電特性。

柔性襯底上室溫濺射沉積氧化銦錫透明導電薄膜的方法

一種柔性襯底上室溫濺射沉積氧化銦錫透明導電薄膜的方法,其特征在于包括下述步驟:清洗、抽真空、充工作氣體、紫外線在線輻照、阻擋層制備、氧化銦錫膜制備;各步驟的內容如下:    清洗:將有機柔性襯底電子清洗劑擦洗后,用去離子水超聲清洗;再用無水乙醇超聲清洗;然后干燥;    抽真空:將清洗好的有機襯底置于磁控濺射設備內抽真空;    充工作氣體:輸入氬氣和氧氣,調節流量,使得總壓強保持在5×10↑[-1]Pa;    紫外線在線輻照:接通真空鐘罩內的紫外線燈進行在線輻照;    阻擋層制備:紫外線在線輻照下,用二氧化硅作靶材,采用射頻磁控濺射法在已清洗的有機柔性襯底上鍍覆二氧化硅膜作為擴散阻擋層;    氧化銦錫薄膜制備:在室溫條件下,采用紫外線在線輻照,用氧化銦錫陶瓷靶作靶材,采用射頻磁控濺射與直流磁控濺射中的一種磁控濺射,在已鍍覆二氧化硅膜的柔性襯底上沉積氧化銦錫薄膜。
 


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專利號: 200810062053
申請日: 2008年5月27日
公開/公告日: 2008年10月29日
授權公告日:
申請人/專利權人: 浙江大學
國家/省市: 杭州(86)
郵編: 310027
發明/設計人: 王德苗、蘇達、金浩、任高潮
代理人: 陳向群
專利代理機構: (33223)
專利代理機構地址: ()
專利類型: 發明
公開號: 101294272
公告日:
授權日:
公告號: 000000000
優先權:
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附圖數: 1
頁數: 8
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